據國外媒體報道，藍色巨人IBM聯(lián)合其芯片研發(fā)合作伙伴AMD于近日發(fā)布了一則重磅消息，兩家合作生產出了首批采用22納米工藝技術的SRAM芯片產品，這成功地挑戰(zhàn)了英特爾在該領域的領先地位。 

　　據了解22納米工藝的芯片還只是未來3年以后的產品，但是IBM此次的喜訊意味著這個芯片制造商將會輕易地在2011年年末進入22納米工藝的新的芯片制造階段。這可是首次業(yè)界領頭羊英特爾因為其他競爭對手在工藝水平的先走一步的壓力而被迫花大力氣并費上額外的時間來進入這個新的22納米工藝領域來維持其業(yè)界霸主的地位。

　　SRAM芯片是典型的半導體行業(yè)測試新工藝手段的首選設備，這可是邁向微型處理器的關鍵的第一步。該設備是由AMD、飛思卡爾（Freescale）、IBM、意法半導體（STMicroelectronics）、東芝以及納米科學與工程學院(CNSE)聯(lián)合開發(fā)和制造的。這種22納米工藝的SRAM芯片是從300mm晶圓上切割而來，采用傳統(tǒng)的六晶體管設計方案，整個芯片面積僅有0.1平方微米。而英特爾的45納米處理器的SRAM芯片面積為0.346平方微米。

　　和目前主流的處理器工藝水平相比，22納米工藝水平則是兩代之后的技術（60納米一代，45納米一代）。而令人頗感尷尬的是，參與到此項22納米工藝項目的AMD還在45納米工藝上苦苦地去追尋英特爾的腳步。英特爾曾于去年九月份展示了其首個32納米的SRAM芯片晶圓，實際上也沒有至少在今年展示22納米RAM芯片的計劃。據悉在此次的秋季IDF上，英特爾就展示了其32納米工藝水平的處理器原型。

　　對此，IBM表示已經步入32納米處理器的正軌并希望能夠引領32納米的High-K金屬柵極技術。令人遺憾的是IBM并未公布此事的更多細節(jié)性內容。據了解英特爾自去年晚期以來就在其45納米工藝的Penryn處理器上使用High-K金屬柵極技術。

　　坦誠地說我們離22納米甚至32納米工藝處理器還是有著相當的距離，但是此事的意義在于IBM極其合作伙伴在處理器制作工藝上首次超過了業(yè)界領頭羊，追趕的壓力首次落到了英特爾這邊。

　　隨后英特爾針對此事發(fā)表了迥然不同的意見。英特爾發(fā)言人Nick Knupffer表示，“的確IBM與其合作伙伴們制造出了最小的SRAM芯片，但是生產出一個單獨的SRAM僅僅是在微影縮微上的操作（lithography scaling）而已。他們也僅僅是公布了22納米的SRAM芯片，而非22納米的SRAM陣列。一個單獨的SRAM芯片只不過是有著六個晶體管而已。我們英特爾于去年展示的32納米SRAM陣列有著多達2.9億個芯片單元以及總計達19億之巨的晶體管數量。此外IBM也表示進入了32納米SRAM陣列使用的是High-K金屬柵極技術，而我們的32納米的工藝技術則使用的是我們第二代High-K金屬柵極晶體管。”